고대하던 '자격 인증' 일정이 당겨졌습니다. 삼성전자는 원래 HBM3E 12층 제품에 대한 NVIDIA 자격 인증을 5월 말~6월 초에 완료할 예정이었지만, 한국 EBN 보도에 따르면 그 일정이 더 앞당겨졌다고 합니다. 이는 삼성 입장에서는 긍정적인 신호일 수 있지만, 이면에는 성능 기준 미달과 재설계라는 부담스러운 과제도 함께 놓여 있습니다.
2025년 상반기, 삼성전자는 HBM3E 자격 인증과 HBM4 개발 일정이라는 두 개의 고비를 동시에 넘고 있습니다. 지금은 누가 빠른가보다, 누가 ‘완성도 높게’ 먼저 성공하느냐가 더 중요한 시기입니다.
12층 HBM3E, 재설계 후 다시 도전
삼성은 HBM3E 12층 제품을 NVIDIA에 샘플로 제출했으나, 성능 기준 미달로 인해 재설계를 진행 중입니다. 이 기준은 단순히 속도나 용량만의 문제가 아닙니다.
여기에는 다음과 같은 핵심 기술 조건이 포함되어 있습니다:
- 열 관리 효율성
- 전력 소비 최적화
- 데이터 전송 안정성 및 속도
NVIDIA와의 협력 속에서 이 문제들을 해결하고 있는 삼성은, 5월 중으로 자격 인증을 목표로 두고 있으며, 일정 변경은 이 노력의 결과일 수 있습니다.
성능 기준 미달, 기술의 벽에 부딪힌 삼성
HBM3E는 기존 HBM3보다 한층 진화된 고대역폭 메모리입니다. 삼성의 12층 구조 제품은 초고속 데이터 전송과 열 효율성을 동시에 잡기 위한 도전이었습니다. 그러나 결과는 기대에 못 미쳤고, 이는 기술적 완성도 부족이 원인으로 분석됩니다.
현재까지 밝혀진 성능 미달 원인은 다음과 같습니다:
| 주요 문제 영역 | 내용 |
| 열 관리 | 다층 구조에서의 열 집적 현상 발생 |
| 전력 소비 | 안정적 소비 전력 제어 실패 가능성 |
| 전송 속도 | 고속 통신 중 신호 간섭 문제 |
삼성은 이를 해결하기 위한 재설계 및 반복 테스트를 진행 중이며, 조기에 인증을 받기 위한 작업이 한창입니다.
HBM4 개발, 일정 지연은 불가피
삼성은 차세대 메모리 기술인 HBM4 개발에서도 중요한 도전을 맞이하고 있습니다. 기존 계획은 2024년 말까지 개발 완료였으나, 2025년 6월로 일정이 미뤄졌습니다.
HBM4는 1c 공정 기반으로 제작되고 있으며, 이는 전력 효율과 성능에서 현재보다 한 단계 더 높은 기술을 요구합니다. 하지만 기술적 난도와 자원 분산, 내부 설계 변경 등 복합적인 원인으로 인해 개발 속도는 예상보다 늦어지고 있습니다.
2분기, 삼성에게 전략적 전환점
2025년 2분기, 삼성은 그야말로 ‘반도체 승부처’에 돌입하게 됩니다.
- HBM3E 12층 자격 인증 확보 여부
- HBM4 1c 공정 진행 상황
- NVIDIA 및 고객사와의 협상력 강화 여부
이러한 결과는 단순히 기술을 넘어서 삼성의 파운드리, 메모리 사업 전략 전체를 흔들 수 있는 요소로 작용합니다. HBM 시장에서의 주도권은 AI 가속기, 고성능 서버, 미래형 컴퓨팅 시장의 핵심 포인트이기 때문입니다.
결론: 기술은 기다려주지 않는다, 삼성의 시험대
삼성은 지금 “기술적 난제”와 “시장 압박” 사이에서 줄타기를 하고 있습니다. 한쪽은 아직 풀리지 않은 열 관리 이슈, 다른 쪽은 줄어드는 자격 인증 일정입니다. 거기에 HBM4까지 지연된다면 경쟁사는 기회를 틈타 치고 들어올 수 있습니다.
하지만 한편으론, 삼성은 이를 기술력으로 증명해 내는 계기로 삼을 수 있는 절호의 기회도 함께 안고 있습니다.
