nand메모리1 삼성전자, 양지 메모리 기술과의 협력: 차세대 NAND 플래시 메모리 혁신 삼성전자는 최근 중국의 칩 제조업체인 Yangtze Memory Technologies와 중요한 특허 라이센스 계약을 체결했습니다. 이번 계약에 따라 삼성은 NAND 3D 하이브리드 연결 기술을 활용하여 차세대 플래시 메모리를 생산할 예정입니다. Yangtze Memory Technologies는 이 기술을 개발한 선두 기업 중 하나로, 삼성의 메모리 기술 혁신에 큰 영향을 미칠 것으로 보입니다.하이브리드 연결 기술의 중요성: NAND 메모리의 성능 향상Yangtze Memory Technologies의 하이브리드 연결 기술은 NAND 메모리의 층 수를 300층에서 400층 이상으로 증가시킬 수 있는 혁신적인 방법입니다. 이 기술은 칩의 높이를 줄이고 데이터 처리 속도를 대폭 향상시키는 데 중요한 역할을.. 2025. 3. 16. 이전 1 다음
