삼성전자가 또 한 번 과감한 결단을 내렸습니다. 대만 상업시보(Commercial Times)의 보도에 따르면, 삼성전자는 HBM2E 제품에 대해 'Last Buy Order(LBO)' 단계에 진입하며 사실상 생산 종료 수순에 돌입했습니다. 이는 단순한 제품 정리를 넘어, 고성능 메모리 제품인 HBM3E와 HBM4로의 전략적 전환을 의미합니다.
과거의 영광을 뒤로하고, 삼성전자는 미래를 향해 다시 한 번 날개를 펼치려 합니다.
레거시 제품 정리, 그리고 미래를 향한 준비
보도에 따르면 삼성전자는 1y 및 1z 나노 공정 기반의 8Gb DDR4 생산 역시 점진적으로 종료할 예정입니다. 8GB LPDDR4 제품은 2025년 4월을 기준으로 End-of-Life(EOL) 일정을 밟게 되며, 최종 주문은 6월까지 받을 예정입니다. 8GB 및 16GB DDR4 SODIMM, UDIMM 모듈은 2025년 12월 10일 마지막 출하를 끝으로 역사 속으로 사라집니다.
'추억은 추억일 뿐'이라는 말처럼, 삼성전자는 과거의 레거시 제품과의 깔끔한 이별을 준비하고 있습니다.
글로벌 경쟁 심화와 가격 압박
삼성전자가 이런 결정을 내린 배경에는 글로벌 메모리 시장의 치열한 경쟁이 있습니다. 상업시보는 중국 메모리 업체들의 공격적인 가격 정책으로 2023년~2024년 사이 평균 메모리 가격이 무려 60% 이상 하락했다고 전했습니다. 이 여파는 삼성전자뿐 아니라 마이크론, SK하이닉스 등 글로벌 메모리 기업 전반에 영향을 미쳤습니다.
마이크론 역시 서버용 DDR4 모듈 단종을 고객들에게 통보했으며, SK하이닉스도 DDR4 생산 비중을 20% 수준으로 줄일 계획이라고 합니다. 이처럼 전 세계 메모리 산업은 저사양 제품을 정리하고 고성능 제품 중심으로 빠르게 재편되고 있습니다.
중국 메모리 업체들의 도전
특히 주목할 점은, 중국 메모리 업체들이 이제 고사양 제품 영역까지 침투하고 있다는 사실입니다. 16나노 공정 기반 DDR5 DRAM을 이미 생산에 돌입했다는 소식이 있었으며, 일부 소식통은 2026~2027년 사이에 HBM3 및 HBM3E 제품 출시 가능성까지 언급하고 있습니다.
"아직은 시기상조다"라고 말하고 싶지만, 중국 업체들의 집요함을 무시할 수 없습니다.
삼성전자의 전략적 대응
이러한 시장 환경 속에서 삼성전자가 HBM2E를 단종시키는 것은 단순한 라인업 정리가 아닙니다. 이는 고성능 메모리 시장의 주도권을 지키기 위한 강력한 포석입니다.
삼성전자는 이미 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 제품 준비를 끝마쳤으며, 앞으로 인공지능(AI), 고성능 컴퓨팅(HPC), 데이터센터 시장에서의 지배력을 강화할 계획입니다.
누군가는 "구형 시스템 업그레이드가 어려워질 것"이라고 걱정할 수 있겠지만, 큰 그림을 보면 이는 기술 진보를 가속화하는 긍정적인 변화입니다.
미래를 향한 기대감
앞으로 HBM3E와 HBM4 시장에서 삼성전자가 어떤 성과를 낼지는 매우 흥미로운 관전 포인트입니다. 또한 마이크론, SK하이닉스, 그리고 부상하는 중국 업체들과의 격차를 얼마나 벌릴 수 있을지도 주목해야 합니다.
결국 메모리 시장은 더욱 고성능, 고부가가치 제품 중심으로 빠르게 진화할 것입니다. 삼성전자의 이번 결정은 그 흐름을 선도하려는 강한 의지를 보여주고 있습니다.
한 마디로 요약하면, "변화는 두려운 것이 아니라, 기회입니다."
