삼성경쟁2 삼성전자, 양지 메모리 기술과의 협력: 차세대 NAND 플래시 메모리 혁신 삼성전자는 최근 중국의 칩 제조업체인 Yangtze Memory Technologies와 중요한 특허 라이센스 계약을 체결했습니다. 이번 계약에 따라 삼성은 NAND 3D 하이브리드 연결 기술을 활용하여 차세대 플래시 메모리를 생산할 예정입니다. Yangtze Memory Technologies는 이 기술을 개발한 선두 기업 중 하나로, 삼성의 메모리 기술 혁신에 큰 영향을 미칠 것으로 보입니다.하이브리드 연결 기술의 중요성: NAND 메모리의 성능 향상Yangtze Memory Technologies의 하이브리드 연결 기술은 NAND 메모리의 층 수를 300층에서 400층 이상으로 증가시킬 수 있는 혁신적인 방법입니다. 이 기술은 칩의 높이를 줄이고 데이터 처리 속도를 대폭 향상시키는 데 중요한 역할을.. 2025. 3. 16. 중국의 HBM 기술 발전: AI와 고성능 컴퓨팅을 향한 도전 최근 중국의 메모리 산업은 DRAM과 NAND 플래시 제조에서 기술 격차를 크게 좁혔습니다. 특히, 고대역폭 메모리(HBM)에서 큰 돌파구를 이루며, 글로벌 시장에서 경쟁력을 한층 강화하고 있습니다. 이번 블로그에서는 HBM 기술 발전과 중국의 전략적 목표에 대해 살펴보겠습니다. 중국이 어떻게 AI와 고성능 컴퓨팅 분야에서 기술적 우위를 점하려는지, 그리고 HBM의 공급 확대가 산업에 미칠 영향에 대해 다뤄보겠습니다.1. HBM 기술의 발전중국의 HBM 기술은 그동안 삼성과 같은 글로벌 대기업들과 비교해 상당히 뒤처져 있었으나, 최근 몇 년 간의 기술 혁신을 통해 격차를 크게 줄였습니다. HBM(High Bandwidth Memory)은 데이터 전송 속도가 매우 빠르고, AI 및 고성능 컴퓨팅에서 필수적.. 2025. 2. 20. 이전 1 다음
