1. SK hynix와 삼성, HBM4E 메모리 발표
2025년 3월 20일, SK hynix와 삼성은 HBM4E 메모리에 대한 중요한 발표를 했습니다. HBM4E는 고성능 메모리로, 20개 층과 64GB의 메모리 스택을 지원하며, 차세대 데이터 처리 능력을 제공할 예정입니다. 이 발표는 고속 데이터 처리가 필요한 AI, 데이터 센터, 고성능 컴퓨팅(HPC) 등에서의 중요한 기술적 진전을 나타냅니다.
HBM4E 메모리는 향후 기술 혁신을 이끌어갈 핵심 기술로 자리매김할 것입니다. 2025년부터 시작되는 대량 생산과 미래 속도 향상은 산업에 큰 변화를 가져올 것으로 기대됩니다.
2. 기술적 진전과 HBM4의 초기 사양
SK hynix는 12층 HBM4 스택을 36GB 용량으로 제공하고, 초기 속도는 8Gbps로 설정되었다고 밝혔습니다. 또한, 향후 스택의 높이는 16층으로 증가할 예정이며, 장기적으로는 20층까지 도달할 가능성이 제시되었습니다.
| 기술 사양 | HBM4 | HBM4E |
| 스택 층수 | 12층 | 20층 예상 |
| 용량 | 36GB | 64GB |
| 초기 속도 | 8Gbps | 10Gbps 예상 |
미래 전망
HBM4의 후속 모델은 더 높은 성능을 제공할 것으로 예상되며, HBM4E의 성능은 향후 9.2Gbps에서 10Gbps로 증가할 계획입니다. 이는 차세대 AI 가속기와 고성능 서버의 성능을 크게 향상시킬 것입니다.
3. Micron의 HBM4 대량 생산 계획
Micron Technology는 2026년부터 HBM4 메모리의 대량 생산을 계획하고 있으며, 시장에 긍정적인 영향을 미칠 것으로 예상됩니다. Micron의 진입은 HBM4 시장 경쟁을 더욱 치열하게 만들 것으로 보이며, SK hynix와 삼성 외에도 Micron이 시장에 참여함으로써 기술 혁신과 경쟁이 심화될 것입니다.
Micron의 계획
- 대량 생산 시작: 2026년부터
- 시장 영향: 경쟁 심화 및 기술 혁신 촉진
Micron의 진입은 HBM4 시장의 다양화를 촉진하며, 새로운 기술적 도전을 야기할 것입니다.
4. 삼성의 HBM4 및 HBM4E 메모리 계획
삼성은 16층 HBM4 및 HBM4E 메모리를 제공할 계획입니다. 삼성의 HBM4는 36GB의 용량으로 시작되며, HBM4E는 64GB까지 지원합니다.
| 모델 | 용량 | 속도 | 층수 |
| HBM4 | 36GB | 9.2Gbps~10Gbps | 16층 |
| HBM4E | 64GB | 10Gbps | 20층 예상 |
삼성의 전략
- 16층 HBM4 제공: 고속 데이터 전송을 위한 다층 설계
- HBM4E: 64GB 용량으로 AI와 데이터 센터에 최적화된 메모리 제공
속도 향상은 9.2Gbps에서 10Gbps로 증가할 계획이며, 이는 AI 및 데이터 처리 성능을 더욱 향상시킬 것입니다.
5. 결론 – HBM4 메모리의 시장 영향
HBM4 및 HBM4E 메모리는 차세대 고속 메모리로서 AI, 데이터 센터, HPC 분야에서 중요한 역할을 할 것입니다. SK hynix, 삼성, Micron이 경쟁하는 가운데, 메모리 성능 향상과 기술 혁신은 산업 발전에 중요한 기여를 할 것입니다.
앞으로 HBM4 메모리가 고성능 컴퓨팅과 AI 가속기를 지원하는 핵심 부품이 될 것이며, 미래 데이터 처리 기술에서 중요한 돌파구가 될 것입니다. 향후 시장 반응과 대량 생산 여부에 따라 HBM4 메모리는 메모리 시장의 판도를 바꿀 기술로 자리잡을 것입니다.
