반응형 고성능메모리4 [삼성 HBM4 메모리 출하 임박] – 차세대 AI 전쟁의 판도가 바뀔까? 고성능 메모리의 정점이라 불리는 HBM4 메모리. 그리고 그 중심에 다시 한번 삼성전자가 섰습니다. 삼성은 자사의 최신 HBM4 12-Hi 메모리를 NVIDIA와 AMD에 곧 출하할 것으로 보이며, 2025년 7월이라는 구체적인 시점까지 언급되며 업계가 들썩이고 있습니다.HBM4는 단순한 업그레이드가 아닙니다. AI 시대의 ‘연산 심장’으로 불리는 고대역폭 메모리의 진화판이며, AI GPU와 가속기의 성능을 결정짓는 핵심 기술입니다. 지금부터 삼성전자가 어떤 전략으로 이 판에 뛰어드는지 함께 살펴보겠습니다.HBM4 대량 생산…삼성도 드디어 출격 준비 완료삼성전자는 HBM4 12-Hi 메모리를 2025년 7월까지 출하할 계획입니다. 현재는 대량 생산을 위한 최종 단계에 접어들었으며, 내부 테스트 결과에 따.. 2025. 6. 29. 삼성의 NVIDIA 자격 테스트 도전: HBM3E 시장에서의 생존 전략 삼성전자는 NVIDIA의 12단 HBM3E(High Bandwidth Memory 3E) 자격 테스트를 통과하기 위해 전력을 다하고 있습니다. 이러한 노력은 고성능 메모리 시장에서의 경쟁력을 확보하고, AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 분야에서의 입지를 강화하기 위한 전략의 일환입니다.삼성의 HBM3E 자격 테스트 진행 상황삼성전자는 NVIDIA의 12단 HBM3E 자격 테스트를 진행 중이며, 2025년 6월까지 인증을 완료할 것으로 예상됩니다. 이 테스트는 DRAM 칩의 독립 성능을 평가하는 'Bare-die certification'과 칩이 최종 스택 형태에서 테스트되는 'Full-package certification'의 두 단계로 나뉘어 진행됩니다. 현재 삼성의 12단 HBM3E는 'Bare-die.. 2025. 5. 24. 삼성의 HBM4 메모리 혁신, 하이브리드 본딩이 여는 차세대 성능 삼성전자가 AI·슈퍼컴퓨팅 시장의 판도를 뒤흔들 새로운 HBM4 메모리를 공개하며 혁신의 속도를 높이고 있습니다. 특히 이번 HBM4에는 메모리 인터페이스 폭 확대와 열 방출 저감을 동시에 달성하는 하이브리드 본딩(hybrid bonding) 기술이 탑재되어 성능과 안정성 모두에서 한 발 앞선 모습을 보여주고 있습니다.하이브리드 본딩의 핵심과 이점하이브리드 본딩은 메모리 칩을 3D 스택 형태로 직접 결합하는 통합 방식으로, 별도의 미세 솔더 연결 없이도 유연하고 촘촘한 인터페이스를 구현합니다. 이 기술이 제공하는 주요 장점은 다음과 같습니다.이점설명연결 밀도 증가패키지당 더 많은 데이터 경로 확보로 대역폭 강화열 관리 개선일체형 구조로 열 전도율 향상, 고온 시 성능 저하 방지전력 효율 향상짧아진 신호 .. 2025. 5. 14. 삼성전자, 메모리 시장 패러다임 변화에 대응하는 전략적 전환 삼성전자가 또 한 번 과감한 결단을 내렸습니다. 대만 상업시보(Commercial Times)의 보도에 따르면, 삼성전자는 HBM2E 제품에 대해 'Last Buy Order(LBO)' 단계에 진입하며 사실상 생산 종료 수순에 돌입했습니다. 이는 단순한 제품 정리를 넘어, 고성능 메모리 제품인 HBM3E와 HBM4로의 전략적 전환을 의미합니다.과거의 영광을 뒤로하고, 삼성전자는 미래를 향해 다시 한 번 날개를 펼치려 합니다.레거시 제품 정리, 그리고 미래를 향한 준비보도에 따르면 삼성전자는 1y 및 1z 나노 공정 기반의 8Gb DDR4 생산 역시 점진적으로 종료할 예정입니다. 8GB LPDDR4 제품은 2025년 4월을 기준으로 End-of-Life(EOL) 일정을 밟게 되며, 최종 주문은 6월까지 받.. 2025. 4. 27. 이전 1 다음 반응형
