삼성전자는 NVIDIA의 12단 HBM3E(High Bandwidth Memory 3E) 자격 테스트를 통과하기 위해 전력을 다하고 있습니다. 이러한 노력은 고성능 메모리 시장에서의 경쟁력을 확보하고, AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 분야에서의 입지를 강화하기 위한 전략의 일환입니다.
삼성의 HBM3E 자격 테스트 진행 상황
삼성전자는 NVIDIA의 12단 HBM3E 자격 테스트를 진행 중이며, 2025년 6월까지 인증을 완료할 것으로 예상됩니다. 이 테스트는 DRAM 칩의 독립 성능을 평가하는 'Bare-die certification'과 칩이 최종 스택 형태에서 테스트되는 'Full-package certification'의 두 단계로 나뉘어 진행됩니다. 현재 삼성의 12단 HBM3E는 'Bare-die certification'을 통과하였으며, 'Full-package certification'을 진행 중입니다. .
단기 수익 전망과 시장 점유율
삼성이 HBM3E 자격 테스트를 성공적으로 통과하더라도, 단기적으로 상당한 수익을 기대하기는 어려울 것으로 보입니다. 이는 SK하이닉스가 이미 12단 HBM3E를 공급하고 있으며, NVIDIA의 주요 공급업체로서 시장 점유율을 확보하고 있기 때문입니다. .
또한, SK하이닉스는 2024년 9월 세계 최초로 12단 HBM3E 제품의 양산을 시작하였으며, 이는 기존 8단 제품 대비 50% 이상의 용량 증가와 40%의 칩 두께 감소를 실현하였습니다. .
NVIDIA의 공급업체 다각화 전략
NVIDIA는 공급업체 다각화를 통해 리스크를 분산하려는 전략을 취하고 있습니다. 삼성전자는 이러한 전략에 부응하기 위해 HBM3E 제품의 품질을 개선하고 있으며, 이를 통해 NVIDIA의 공급망에 진입하려는 노력을 기울이고 있습니다. .
HBM4에 대한 삼성의 투자 계획
삼성전자는 HBM4 개발을 위해 화성 및 평택 공장에서 6세대 10나노급(1c) DRAM 생산을 확대할 계획입니다. 이는 SK하이닉스와의 기술 격차를 줄이기 위한 전략으로, 연말부터 투자가 본격화될 예정입니다.
결론
삼성전자는 HBM3E 자격 테스트를 통해 고성능 메모리 시장에서의 경쟁력을 확보하려는 노력을 지속하고 있습니다. 그러나 SK하이닉스의 선점 효과와 시장 점유율로 인해 단기적인 수익성은 제한적일 수 있습니다. 향후 삼성의 HBM4 투자와 기술 개발이 시장에서 어떤 성과를 거둘지 주목됩니다.
