고성능컴퓨팅3 SK hynix와 삼성의 HBM4 메모리 발표 – 차세대 고속 메모리 기술의 진전 1. SK hynix와 삼성, HBM4E 메모리 발표2025년 3월 20일, SK hynix와 삼성은 HBM4E 메모리에 대한 중요한 발표를 했습니다. HBM4E는 고성능 메모리로, 20개 층과 64GB의 메모리 스택을 지원하며, 차세대 데이터 처리 능력을 제공할 예정입니다. 이 발표는 고속 데이터 처리가 필요한 AI, 데이터 센터, 고성능 컴퓨팅(HPC) 등에서의 중요한 기술적 진전을 나타냅니다.HBM4E 메모리는 향후 기술 혁신을 이끌어갈 핵심 기술로 자리매김할 것입니다. 2025년부터 시작되는 대량 생산과 미래 속도 향상은 산업에 큰 변화를 가져올 것으로 기대됩니다.2. 기술적 진전과 HBM4의 초기 사양SK hynix는 12층 HBM4 스택을 36GB 용량으로 제공하고, 초기 속도는 8Gbps로 .. 2025. 3. 21. 마이크론, 신형 DDR5 메모리 출시 – AI 시대를 위한 혁신적 도약 미국의 반도체 제조업체 마이크론(Micron)이 새로운 1가마(1-gamma) DRAM을 적용한 DDR5 메모리를 출시하며, AI 및 데이터 센터 혁신을 가속화하고 있습니다.이 새로운 메모리는 극자외선(EUV) 미세 가공 기술을 활용하여 10나노미터(nm) 공정에서 생산되며, 이전 세대인 1베타(1-beta) DRAM보다 성능이 향상되고 전력 소비가 감소하는 특징을 갖고 있습니다.마이크론의 신형 DDR5 메모리는 AI, 데이터 센터, 스마트 기기, 게이밍 등 다양한 분야에서 중요한 역할을 할 것으로 기대됩니다.신형 DDR5 메모리의 주요 특징마이크론의 신형 DDR5 메모리는 기존 제품보다 더 높은 성능과 에너지 효율성을 제공합니다.1. 최신 공정 기술 적용극자외선(EUV) 미세 가공 기술을 활용하여 10.. 2025. 2. 27. 중국의 HBM 기술 발전: AI와 고성능 컴퓨팅을 향한 도전 최근 중국의 메모리 산업은 DRAM과 NAND 플래시 제조에서 기술 격차를 크게 좁혔습니다. 특히, 고대역폭 메모리(HBM)에서 큰 돌파구를 이루며, 글로벌 시장에서 경쟁력을 한층 강화하고 있습니다. 이번 블로그에서는 HBM 기술 발전과 중국의 전략적 목표에 대해 살펴보겠습니다. 중국이 어떻게 AI와 고성능 컴퓨팅 분야에서 기술적 우위를 점하려는지, 그리고 HBM의 공급 확대가 산업에 미칠 영향에 대해 다뤄보겠습니다.1. HBM 기술의 발전중국의 HBM 기술은 그동안 삼성과 같은 글로벌 대기업들과 비교해 상당히 뒤처져 있었으나, 최근 몇 년 간의 기술 혁신을 통해 격차를 크게 줄였습니다. HBM(High Bandwidth Memory)은 데이터 전송 속도가 매우 빠르고, AI 및 고성능 컴퓨팅에서 필수적.. 2025. 2. 20. 이전 1 다음
