메모리기술5 SK hynix와 삼성의 HBM4 메모리 발표 – 차세대 고속 메모리 기술의 진전 1. SK hynix와 삼성, HBM4E 메모리 발표2025년 3월 20일, SK hynix와 삼성은 HBM4E 메모리에 대한 중요한 발표를 했습니다. HBM4E는 고성능 메모리로, 20개 층과 64GB의 메모리 스택을 지원하며, 차세대 데이터 처리 능력을 제공할 예정입니다. 이 발표는 고속 데이터 처리가 필요한 AI, 데이터 센터, 고성능 컴퓨팅(HPC) 등에서의 중요한 기술적 진전을 나타냅니다.HBM4E 메모리는 향후 기술 혁신을 이끌어갈 핵심 기술로 자리매김할 것입니다. 2025년부터 시작되는 대량 생산과 미래 속도 향상은 산업에 큰 변화를 가져올 것으로 기대됩니다.2. 기술적 진전과 HBM4의 초기 사양SK hynix는 12층 HBM4 스택을 36GB 용량으로 제공하고, 초기 속도는 8Gbps로 .. 2025. 3. 21. SK Hynix의 HBM4 및 HBM3E – 차세대 메모리 시장의 주도권 확보 1. SK Hynix, 12층 HBM4 및 HBM3E 출시SK Hynix가 차세대 HBM4 및 HBM3E 고속 메모리를 공식 발표하면서, 반도체 업계에서 주목을 받고 있다.이번 발표는 2025년 3월 19일에 이루어졌으며, NVIDIA GTC 2025 컨퍼런스에서 HBM4 프로토타입이 공개되었다.HBM(High Bandwidth Memory)은 초고속 데이터 처리가 필요한 AI, 데이터 센터, 고성능 컴퓨팅(HPC) 시장에서 필수적인 메모리 기술이다. 특히, SK Hynix는 NVIDIA와 협력하여 HBM3E 메모리를 공급하고 있으며, HBM4 개발을 통해 시장 우위를 더욱 공고히 하고 있다.2. NVIDIA GTC 2025에서 공개된 SK Hynix의 HBM4NVIDIA GTC 2025에서 발표된 내용.. 2025. 3. 21. 삼성전자, 양지 메모리 기술과의 협력: 차세대 NAND 플래시 메모리 혁신 삼성전자는 최근 중국의 칩 제조업체인 Yangtze Memory Technologies와 중요한 특허 라이센스 계약을 체결했습니다. 이번 계약에 따라 삼성은 NAND 3D 하이브리드 연결 기술을 활용하여 차세대 플래시 메모리를 생산할 예정입니다. Yangtze Memory Technologies는 이 기술을 개발한 선두 기업 중 하나로, 삼성의 메모리 기술 혁신에 큰 영향을 미칠 것으로 보입니다.하이브리드 연결 기술의 중요성: NAND 메모리의 성능 향상Yangtze Memory Technologies의 하이브리드 연결 기술은 NAND 메모리의 층 수를 300층에서 400층 이상으로 증가시킬 수 있는 혁신적인 방법입니다. 이 기술은 칩의 높이를 줄이고 데이터 처리 속도를 대폭 향상시키는 데 중요한 역할을.. 2025. 3. 16. 산디스크의 HBF 기술 소개: NAND 기반의 차세대 메모리 솔루션 산디스크는 High Bandwidth Flash (HBF) 기술을 소개하며, 이는 NAND 기반의 HBM(High Bandwidth Memory) 대안으로 제시되고 있습니다. HBF는 HBM과 동일한 대역폭을 제공하면서도 비용은 더 낮고, 8~16배 더 많은 용량을 제공하는 것을 목표로 합니다. 이번 포스팅에서는 HBF 기술의 기술적 특징과 산디스크의 미래 계획에 대해 자세히 살펴보겠습니다.HBF와 HBM: 성능과 용량의 차별화HBF는 HBM의 대체품이 아니지만, 전기적 인터페이스를 공유하고 있어, 프로토콜 설정이 적게 필요하다는 특징이 있습니다. HBF는 SSD와 같은 메모리 솔루션의 성능을 향상하기 위해 설계되었습니다. BICS 기술과 CBA 웨이퍼 통합을 포함하여 고밀도 적층을 가능하게 하여, 비용.. 2025. 2. 25. 갤럭시 S25의 메모리 변화, 삼성의 새로운 전략이 담겨 있다 삼성, 갤럭시 S25에서 외부 메모리 칩 도입! 이유는?삼성이 차세대 스마트폰 갤럭시 S25 시리즈에서 자체 생산한 메모리가 아닌 미국 Micron Technology의 메모리 칩을 사용한다고 발표했습니다.그동안 삼성은 갤럭시 S 및 Z 시리즈에서 자체 생산한 메모리를 사용해 왔습니다.그러나 이번 변화로 인해 삼성의 메모리 사업 전략이 새롭게 조정되고 있습니다.Micron의 최신 DRAM LPDDR5X 및 UFS 4.0 메모리가 적용되면서 갤럭시 S25의 성능과 효율성이 어떻게 변화할지 관심이 집중되고 있습니다.이 변화는 단순한 부품 변경이 아니라, 삼성의 전략적 변화와 스마트폰 시장의 새로운 흐름을 보여주는 중요한 신호일 수 있습니다.삼성과 Micron의 새로운 협력 관계삼성은 갤럭시 S25 시리즈에서.. 2025. 2. 23. 이전 1 다음
