반응형 삼성반도체47 삼성의 반도체 패키징 혁신: 유리 인터포저 도입의 미래 전략 2028년, 삼성전자는 반도체 산업에서 또 한 번의 혁신적인 변화를 주도할 준비를 하고 있습니다. 기존의 실리콘 기반 인터포저에서 벗어나, 유리 인터포저(glass interposer)를 본격적으로 도입하겠다고 발표한 것입니다. 이 계획은 삼성의 반도체 패키징 전략에 있어 큰 전환점이 될 것으로 보이며, AI 반도체 성능 향상과 제조 비용 절감이라는 두 가지 핵심 목표를 동시에 달성할 수 있는 기술적 진보로 주목받고 있습니다.유리 인터포저란 무엇인가?인터포저는 2.5D 반도체 패키징 구조에서 핵심적인 역할을 담당하는 부품입니다. 고성능 GPU와 고대역폭 메모리(HBM) 사이의 데이터를 빠르고 안정적으로 전달하기 위한 경로로서, AI 반도체와 같은 고성능 컴퓨팅 시스템에서는 없어서는 안 될 기술입니다.기존.. 2025. 5. 26. 테일러 시, 삼성 반도체 세금 혜택 계약 수정… 2년 지연 반영 삼성 오스틴 반도체가 미국 텍사스 테일러 시와 체결한 세금 혜택 계약이 조정되었습니다. 테일러 시의회는 2025년 5월 특별 회의에서 계약 내용을 공식 수정하며, 2년의 지연을 반영하는 결정을 만장일치로 승인했습니다. 이는 총 18억 달러 규모의 반도체 생산 및 연구 프로젝트와 관련된 것으로, 지역 사회와의 협력을 강조하는 상징적인 움직임이기도 합니다.삼성, 테일러의 신뢰를 다시 얻다이 계약은 단순한 행정 절차가 아닙니다. 테일러 시가 삼성에 제공하는 세금 혜택은 2억 8,100만 달러 규모의 부동산을 기반으로 하며, 이로 인해 연간 약 190만 달러의 수익이 발생할 것으로 시는 전망하고 있습니다. 테일러 시 대변인인 다니엘 세귀는 해당 수익이 시 재정에 긍정적인 영향을 줄 것이라고 밝혔습니다.이 수익은.. 2025. 5. 3. 삼성의 1nm 칩 개발 계획: 차세대 반도체의 도전과 비전 삼성은 2029년까지 1nm 반도체의 대량 생산을 목표로 하는 전문 팀을 구성하며, 반도체 산업에서의 기술적 우위를 선도하고자 하는 야심 찬 계획을 발표했습니다. 이는 삼성의 반도체 기술 개발에 있어 중요한 이정표가 될 것으로 보입니다. 특히, 1nm 칩 개발은 현존하는 반도체 기술의 한계를 뛰어넘는 도전적인 과제입니다. 이번 블로그에서는 삼성의 1nm 칩 개발 계획, 그 목표, 기술적 도전 과제 및 경쟁사의 동향에 대해 살펴보겠습니다.삼성의 목표와 기술적 변화삼성은 1nm 반도체 대량 생산을 목표로 전담 팀을 조직하여, 2029년까지 이 목표를 실현하겠다고 발표했습니다. 이와 함께 삼성은 1.4nm 기술에 대한 진전이 없다며, 1nm 기술 개발에 더욱 집중할 계획이라고 밝혔습니다. 이러한 기술적 우선순.. 2025. 4. 10. 삼성전자 2025년, 구조적 위기 속 성장 돌파구는? 삼성전자의 2025년 비즈니스 상황은 도전과 기회가 공존하는 양상을 보이고 있습니다. 올해 들어 삼성은 이미 10억 달러 규모의 손실을 입었으며, 특히 반도체 사업 부문에서의 어려움이 전체 실적에 큰 영향을 주고 있습니다. 2025년 1분기에는 전년 대비 21%의 이익 감소가 예상되고 있어, 경영진의 전략적 대응이 절실한 상황입니다. 반도체 사업의 어려움삼성 반도체 부문은 최근 몇 분기 동안 지속적인 수익성 저하를 겪고 있습니다. SK 하이닉스와 비교했을 때, 고수익성 고대역폭 메모리(HBM) 칩 공급에서 뚜렷한 격차를 보이고 있으며, 이는 시장 점유율 확보와 수익 구조 개선에 어려움을 주고 있습니다. 특히 DRAM과 NAND 플래시 칩 가격이 각각 25%, 50%까지 하락하면서, 수익성에 큰 타격을 주.. 2025. 4. 8. 삼성의 DRAM 및 NAND 가격 인상: 반도체 시장의 변화 삼성전자가 DRAM과 NAND 가격을 최대 5% 인상할 예정이라는 소식은 반도체 시장에 큰 영향을 미칠 것으로 예상됩니다. 가격 인상의 배경과 그로 인한 시장 변화에 대한 분석을 통해 삼성의 향후 전략과 반도체 산업의 흐름을 살펴보겠습니다. 이번 블로그에서는 가격 인상 배경, 계약 협상, 시장 동향, 가격 안정성 등 여러 요소를 다루어 보겠습니다.삼성의 DRAM 및 NAND 가격 인상 배경삼성전자가 DRAM과 NAND 가격을 3~5% 인상하기 위한 협상을 진행 중입니다. 이 가격 인상은 미국 대통령의 상호 관세 발표와 반도체 시장의 불안정성 등 여러 요인에 의해 촉발되었습니다. 미국은 현재 반도체를 관세 부과 목록에서 제외했지만, 글로벌 반도체 고객들은 미래의 잠재적 관세를 우려하며 재고 확보를 서두르고.. 2025. 4. 4. 삼성의 HBM3E 품질 인증과 공급 불확실성 1. 삼성의 HBM3E 품질 인증삼성의 HBM3E는 Nvidia의 최근 감사에서 만족스러운 점수를 받았으며, 품질 인증을 조기에 통과할 것으로 예상됩니다. HBM3E는 고속 메모리 기술의 발전을 나타내며, Nvidia와의 협력 관계를 더욱 강화하는 중요한 이정표가 될 것입니다.HBM3E의 성공적인 인증은 삼성의 시장 점유율 확대에 긍정적인 영향을 미칠 것으로 보이며, 반도체 산업에서의 기술 경쟁에서 중요한 성과로 평가되고 있습니다.이러한 성공적인 품질 인증은 삼성의 반도체 시장 내 위치를 강화하고, Nvidia와의 협력 관계를 더욱 탄탄하게 만들어 줄 것입니다. HBM3E는 특히 고속 데이터 처리가 중요한 AI, 데이터 센터, HPC 분야에서 큰 역할을 할 것으로 기대됩니다.2. HBM3E 공급 불확실성.. 2025. 3. 21. 이전 1 2 3 4 5 6 7 8 다음 반응형
