반응형 AI메모리8 [HBM4 출하 임박] 삼성의 AI 반도체 반격…이번엔 진짜 다르다 HBM4 출하 임박, 삼성이 노리는 다음 전쟁터2025년 7월, 업계는 긴장하고 있습니다.삼성전자가 조만간 HBM4 메모리의 대규모 샘플 출하를 시작할 것이기 때문입니다.이것은 단순한 제품 출시가 아닙니다.AI 반도체 전쟁의 새로운 물꼬를 트는 일대 사건입니다.지난 수년간, 삼성은 HBM(고대역폭 메모리) 시장에서 SK하이닉스에 밀렸습니다.NVIDIA의 HBM3E 납품처도 SK였습니다.그러나 HBM4는 완전히 다른 전략이 시작되는 지점입니다. 삼성의 HBM4 전략 요약 구분 내용 제품 명칭HBM4 12Hi/16Hi (12/16단 적층)제조 기술TSV(실리콘 관통 전극) 기반 초고속 인터페이스주요 강점열 분산 구조 개선, 1.2TB/s 이상 대역폭, AI 연산 최적화타깃 고객NVIDIA, AMD, 인텔,.. 2025. 7. 2. [Micron] Nvidia의 선택, 삼성의 경고? SOCAMM이 바꿀 AI 메모리 전쟁 AI 가속 시대, 새로운 메모리의 등판2025년, 인공지능(AI) 시대의 중심에서 Nvidia는 의미심장한 선택을 내렸습니다. 바로 차세대 메모리 기술인 SOCAMM의 첫 번째 공급업체로 Micron을 선정한 것입니다. 이는 단순한 계약이 아니라, 글로벌 메모리 산업의 경쟁 구도를 뒤흔들 수 있는 중대한 사건입니다. SOCAMM(Small Outline Compression Attached Memory Module)은 고성능·저전력 메모리 모듈로, AI 서버에 최적화된 새로운 메모리 포맷입니다. SOCAMM이란 무엇인가?SOCAMM은 이름처럼 기존 DIMM 메모리보다 훨씬 작고 얇은 구조를 가지면서도, AI에 최적화된 데이터 압축 및 처리 성능을 갖추고 있습니다. 기존 HBM(고대역폭 메모리)이 GPU와.. 2025. 6. 18. 삼성전자와 엔비디아의 HBM3E 협력: AI 메모리 시장을 향한 도전과 기회 최근 삼성전자와 엔비디아 간의 협력이 고속 메모리 시장에서 주목받고 있습니다. 특히, 삼성의 차세대 HBM3E(5세대 고대역폭 메모리) 칩이 엔비디아의 인증을 받기 위한 마지막 단계에 접어들면서, 양사의 파트너십이 새로운 국면을 맞이하고 있습니다.삼성의 HBM3E: 인증을 향한 마지막 관문삼성전자는 엔비디아와의 협력을 통해 8레이어 및 12레이어 HBM3E 메모리 칩을 공급하기 위한 준비를 진행 중입니다. 특히, 12레이어 제품은 엔비디아의 까다로운 품질 인증 절차 중 단일 칩 테스트를 통과했으며, 현재는 전체 패키지 인증을 기다리고 있습니다. 업계에서는 이 인증이 6월 중 완료될 것으로 예상하고 있습니다. 공급 계약과 시장의 기대엔비디아와의 공급 계약이 체결되면, 삼성은 올해 하반기부터 본격적인 공급을.. 2025. 5. 25. AI 메모리 전쟁의 서막: HBM4 규격 완화와 한국 메모리 강자들의 반격 AI 시대가 본격적으로 열리면서, 메모리 기술 전쟁도 그 어느 때보다 뜨겁게 달아오르고 있습니다. 특히 최근 JEDEC가 6세대 고대역폭 메모리(HBM4)의 높이 규격을 완화하면서, 이 전쟁의 양상은 한층 더 흥미롭게 전개되고 있습니다. 이 변화는 삼성전자와 SK 하이닉스 같은 국내 메모리 강자들에게 중대한 기회를 제공하고 있는데요. 오늘은 이 AI 메모리 전쟁의 최전선을 함께 들여다보겠습니다.JEDEC, HBM4 규격 완화: 메모리 시장의 게임 체인저메모리 시장의 국제 표준을 관리하는 기관인 JEDEC는 최근 HBM4 규격 중 높이 제한을 완화하기로 결정했습니다. 이는 단순한 기술적 변경을 넘어, 삼성전자와 SK 하이닉스가 대량 생산에 나설 수 있는 발판을 마련해 준 대형 이벤트입니다. 그동안 높이 규.. 2025. 4. 26. 삼성전자, 양지 메모리 기술과의 협력: 차세대 NAND 플래시 메모리 혁신 삼성전자는 최근 중국의 칩 제조업체인 Yangtze Memory Technologies와 중요한 특허 라이센스 계약을 체결했습니다. 이번 계약에 따라 삼성은 NAND 3D 하이브리드 연결 기술을 활용하여 차세대 플래시 메모리를 생산할 예정입니다. Yangtze Memory Technologies는 이 기술을 개발한 선두 기업 중 하나로, 삼성의 메모리 기술 혁신에 큰 영향을 미칠 것으로 보입니다.하이브리드 연결 기술의 중요성: NAND 메모리의 성능 향상Yangtze Memory Technologies의 하이브리드 연결 기술은 NAND 메모리의 층 수를 300층에서 400층 이상으로 증가시킬 수 있는 혁신적인 방법입니다. 이 기술은 칩의 높이를 줄이고 데이터 처리 속도를 대폭 향상시키는 데 중요한 역할을.. 2025. 3. 16. DeepSeek의 AI 메모리 혁신: HBM 시장의 새로운 도전자 인공지능(AI) 시장의 발전이 가속화되면서, DeepSeek이 고성능 AI를 위한 비용 효율적인 메모리 혁신을 선보이며 주목받고 있습니다.특히, 삼성전자와 SK하이닉스가 주도하고 있는 HBM(고대역폭 메모리) 시장에 도전장을 내밀면서 반도체 업계의 경쟁 구도가 변화할 가능성이 커지고 있습니다.DeepSeek의 AI 메모리 혁신비용 효율성과 성능의 균형DeepSeek이 개발한 새로운 메모리 기술은 고성능 AI 모델을 보다 저렴한 비용으로 운용할 수 있도록 최적화되었습니다. 이는 현재 HBM이 차지하고 있는 고성능 메모리 시장에서 상당한 경쟁력을 가질 수 있는 요소로 작용합니다.DeepSeek의 기술적 강점HBM 대비 저렴한 비용 구조기존 HBM은 생산비용이 높고 제조 공정이 복잡하여 가격이 상승할 수밖에 .. 2025. 2. 12. 이전 1 2 다음 반응형
