hbm4e1 SK hynix와 삼성의 HBM4 메모리 발표 – 차세대 고속 메모리 기술의 진전 1. SK hynix와 삼성, HBM4E 메모리 발표2025년 3월 20일, SK hynix와 삼성은 HBM4E 메모리에 대한 중요한 발표를 했습니다. HBM4E는 고성능 메모리로, 20개 층과 64GB의 메모리 스택을 지원하며, 차세대 데이터 처리 능력을 제공할 예정입니다. 이 발표는 고속 데이터 처리가 필요한 AI, 데이터 센터, 고성능 컴퓨팅(HPC) 등에서의 중요한 기술적 진전을 나타냅니다.HBM4E 메모리는 향후 기술 혁신을 이끌어갈 핵심 기술로 자리매김할 것입니다. 2025년부터 시작되는 대량 생산과 미래 속도 향상은 산업에 큰 변화를 가져올 것으로 기대됩니다.2. 기술적 진전과 HBM4의 초기 사양SK hynix는 12층 HBM4 스택을 36GB 용량으로 제공하고, 초기 속도는 8Gbps로 .. 2025. 3. 21. 이전 1 다음