micron4 삼성의 HBM3E 공급 준비: 기술적 진전과 시장 경쟁 삼성이 HBM3E(High Bandwidth Memory 3E) 공급 준비에 박차를 가하고 있습니다. 최근 NVIDIA CEO Jensen Huang는 삼성의 HBM3E에 대해 긍정적인 전망을 보였으며, 삼성은 이를 통해 중요한 기술적 진전을 이루어갈 것으로 보입니다. 이번 글에서는 삼성의 HBM3E 공급 상황, 주요 고객들과의 협력, 그리고 경쟁사들과의 비교를 다루어 보겠습니다.삼성의 HBM3E 공급 준비: 브로드컴과의 협력삼성은 브로드컴에 8층 HBM3E를 공급할 가능성이 높다고 밝혔습니다. 이는 삼성의 HBM 제품 공급 역사에서 중요한 전환점이 될 것입니다. 브로드컴은 삼성의 HBM 제품을 오랫동안 공급받아왔지만, 최근 SK hynix가 먼저 HBM3E를 승인받았습니다. 이는 삼성에게 중요한 기회가.. 2025. 3. 22. SK hynix와 삼성의 HBM4 메모리 발표 – 차세대 고속 메모리 기술의 진전 1. SK hynix와 삼성, HBM4E 메모리 발표2025년 3월 20일, SK hynix와 삼성은 HBM4E 메모리에 대한 중요한 발표를 했습니다. HBM4E는 고성능 메모리로, 20개 층과 64GB의 메모리 스택을 지원하며, 차세대 데이터 처리 능력을 제공할 예정입니다. 이 발표는 고속 데이터 처리가 필요한 AI, 데이터 센터, 고성능 컴퓨팅(HPC) 등에서의 중요한 기술적 진전을 나타냅니다.HBM4E 메모리는 향후 기술 혁신을 이끌어갈 핵심 기술로 자리매김할 것입니다. 2025년부터 시작되는 대량 생산과 미래 속도 향상은 산업에 큰 변화를 가져올 것으로 기대됩니다.2. 기술적 진전과 HBM4의 초기 사양SK hynix는 12층 HBM4 스택을 36GB 용량으로 제공하고, 초기 속도는 8Gbps로 .. 2025. 3. 21. 갤럭시 S25의 메모리 변화, 삼성의 새로운 전략이 담겨 있다 삼성, 갤럭시 S25에서 외부 메모리 칩 도입! 이유는?삼성이 차세대 스마트폰 갤럭시 S25 시리즈에서 자체 생산한 메모리가 아닌 미국 Micron Technology의 메모리 칩을 사용한다고 발표했습니다.그동안 삼성은 갤럭시 S 및 Z 시리즈에서 자체 생산한 메모리를 사용해 왔습니다.그러나 이번 변화로 인해 삼성의 메모리 사업 전략이 새롭게 조정되고 있습니다.Micron의 최신 DRAM LPDDR5X 및 UFS 4.0 메모리가 적용되면서 갤럭시 S25의 성능과 효율성이 어떻게 변화할지 관심이 집중되고 있습니다.이 변화는 단순한 부품 변경이 아니라, 삼성의 전략적 변화와 스마트폰 시장의 새로운 흐름을 보여주는 중요한 신호일 수 있습니다.삼성과 Micron의 새로운 협력 관계삼성은 갤럭시 S25 시리즈에서.. 2025. 2. 23. 반도체 인재 채용 증가: AI 기술과 HBM 시장 경쟁 최근 메모리 기업들은 인공지능(AI) 응용 프로그램을 지원하는 반도체 개발을 위해 인재 수요가 급증하고 있습니다. 특히 HBM(고대역폭 메모리) 시장에서의 경쟁이 치열해짐에 따라, 반도체 산업은 인재 확보를 위해 더욱 강력한 채용 전략을 펼치고 있습니다. 이번 블로그에서는 반도체 산업에서 인재 채용 증가, 업계 경쟁, 그리고 한국 반도체 산업의 도전에 대해 다뤄보겠습니다.메모리 기업의 채용 증가: AI 기술의 발전과 글로벌 수요반도체 산업에서 AI 기술의 발전은 메모리 기업들이 AI 관련 응용 프로그램을 지원하는 반도체를 개발하기 위한 인력 수요를 증가시키고 있습니다. 특히, HBM(고대역폭 메모리) 시장에서의 경쟁이 치열해지면서, 우수 인재 확보는 기업의 경쟁력 강화를 위한 핵심 요소로 떠오르고 있습니.. 2025. 2. 22. 이전 1 다음
