삼성이 반도체 시장에서 다시 한번 정공법이 아닌 창의적 우회로를 택했습니다.
바로 '디자인 변경 전략'을 통해 DRAM 개발의 전통적 순서를 뒤엎고, 1c DRAM의 상업화를 빠르게 실현하려는 움직임입니다.
그 중심에는 평택 제4단지, 화성 공장, 그리고 HBM4 연계가 있습니다.
이번 블로그에서는 삼성의 DRAM 전략이 어떻게 기존 산업 흐름을 흔들고 있는지, 그리고 그 결과가 시장에 어떤 파장을 미칠지를 짚어보겠습니다.
1. 삼성의 ‘디자인 변경 전략’, 그게 뭔가요?
삼성은 기존의 DRAM 개발 순서인 DDR → LPDDR → GDDR의 흐름을 거부하고, 1c DRAM을 중심으로 DDR과 LPDDR을 동시에 개발하는 파격적인 전략을 선택했습니다.
이 전략은 다음과 같은 목적을 가지고 있습니다:
- 개발 속도 단축
- 시장 선점 가속화
- HBM4 탑재를 위한 타이밍 조율
- 내부 검증 동시화로 비용 최소화
기존 방식처럼 한 단계씩 순차 개발을 하다 보면 기술 변화 속도를 따라가기 어렵기 때문에, 삼성은 더 이상 정석을 따르지 않기로 결정한 것입니다.
2. 1c DRAM 성능은 어느 정도인가요?
2025년 5월에 진행된 10nm급 제6세대 DRAM(1c DRAM) 웨이퍼 성능 테스트 결과, 삼성은 다음과 같은 양품률을 확보했습니다:
| 테스트 조건 | 양품률 |
| 냉각 상태 | 약 50% |
| 열 상태 | 약 60~70% |
이는 DRAM 분야에서 초기 수율로는 매우 고무적인 결과이며, 상업화로 이어질 가능성을 크게 높여주고 있습니다.
3. 어디서 생산되고 있나요?
삼성전자는 현재 두 개의 거점을 통해 1c DRAM의 생산 기반을 구축하고 있습니다.
화성 공장:
- 신규 생산 라인 구축 중
- 올해 말까지 투자 완료 예정
평택 제4단지(P4):
- 첫 번째 양산 라인 설치 완료
- 월 생산 능력 약 3만 장
이러한 양산 인프라는 HBM4 및 서버용 DRAM의 공급 안정성 확보에 결정적 역할을 하게 됩니다.
4. HBM4와의 연결 고리
삼성은 1c DRAM을 HBM4 탑재용으로 설계하고 있습니다.
이는 고성능 AI 반도체 시장에서 NVIDIA, AMD, 인텔과의 협력 경쟁에서 선도적 위치를 유지하기 위한 핵심 기술입니다.
또한 1c DRAM은 DDR과 LPDDR 양쪽으로의 응용이 가능하다는 점에서 범용성과 확장성이 뛰어납니다.
5. 삼성의 PRA(내부 양산 승인) 일정
삼성은 상업화를 위한 주요 내부 승인 일정을 아래와 같이 계획하고 있습니다.
| 항목 | 일정 |
| LPDDR용 1c DRAM | 2025년 중반 PRA |
| HBM4 DDR 재설계 | 2025년 3분기 PRA |
이 PRA 승인을 기준으로 DRAM의 전방산업 납품 시점이 결정되며, HBM4 시장에서의 점유율 확대 여부도 이 시점에서 갈릴 전망입니다.
6. 전통의 규칙을 깬 ‘선택과 집중’
삼성은 이번 전략을 통해 설계-개발-양산에 이르는 과정에서 불필요한 대기 단계를 없애고, “개발 병렬화”를 통한 시간 단축을 시도하고 있습니다.
이는 위험한 선택일 수 있지만, 만약 성공한다면 경쟁사보다 6~12개월 빠른 선점 효과를 가져올 수 있으며, 이는 곧 수익성 및 시장 점유율 확대로 직결됩니다.
7. 결론: 삼성은 ‘정석’을 버리고 ‘속도’를 선택했다
전통적인 순서를 거부하고 병렬로 개발하겠다는 삼성의 결단은 위험을 동반한 도전입니다.
하지만 DRAM 시장이 격변하고 있는 지금, 속도는 곧 경쟁력입니다.
삼성의 이 전략이 HBM4와 고성능 모바일 DRAM 분야에서 성공적으로 작동한다면, 메모리 시장의 판도는 다시 삼성 중심으로 재편될 수 있습니다.
