반도체시장21 TSMC 출신 인재 영입한 삼성, 미국 반도체 시장 정조준! 삼성, 미국 반도체 전략에 본격 드라이브 걸다삼성전자가 미국 시장을 겨냥해 본격적인 인재 영입에 나섰습니다. 최근 삼성 미국 지사에서는 반도체 업계에서 21년간 경력을 쌓아온 마가렛 한(Margaret Han)을 수석 부사장으로 영입했습니다. 그녀는 현재 삼성 디바이스 솔루션 아메리카스(Samsung Device Solutions Americas)의 북미 파운드리 운영을 총괄하고 있습니다.이러한 인재 영입은 단순한 경력자의 충원이 아닌, 매우 전략적인 수로 해석되고 있습니다. 삼성은 세계 반도체 파운드리 시장에서 TSMC의 독점적 지위를 깨고 새로운 판을 짜기 위해 미국에서부터 전열을 가다듬고 있습니다.마가렛 한의 이력: TSMC부터 인텔, NXP까지마가렛 한 수석 부사장은 TSMC에서 북미 마케팅 팀을.. 2025. 6. 4. 삼성전자와 엔비디아의 HBM3E 협력: AI 메모리 시장을 향한 도전과 기회 최근 삼성전자와 엔비디아 간의 협력이 고속 메모리 시장에서 주목받고 있습니다. 특히, 삼성의 차세대 HBM3E(5세대 고대역폭 메모리) 칩이 엔비디아의 인증을 받기 위한 마지막 단계에 접어들면서, 양사의 파트너십이 새로운 국면을 맞이하고 있습니다.삼성의 HBM3E: 인증을 향한 마지막 관문삼성전자는 엔비디아와의 협력을 통해 8레이어 및 12레이어 HBM3E 메모리 칩을 공급하기 위한 준비를 진행 중입니다. 특히, 12레이어 제품은 엔비디아의 까다로운 품질 인증 절차 중 단일 칩 테스트를 통과했으며, 현재는 전체 패키지 인증을 기다리고 있습니다. 업계에서는 이 인증이 6월 중 완료될 것으로 예상하고 있습니다. 공급 계약과 시장의 기대엔비디아와의 공급 계약이 체결되면, 삼성은 올해 하반기부터 본격적인 공급을.. 2025. 5. 25. 삼성의 NVIDIA 자격 테스트 도전: HBM3E 시장에서의 생존 전략 삼성전자는 NVIDIA의 12단 HBM3E(High Bandwidth Memory 3E) 자격 테스트를 통과하기 위해 전력을 다하고 있습니다. 이러한 노력은 고성능 메모리 시장에서의 경쟁력을 확보하고, AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 분야에서의 입지를 강화하기 위한 전략의 일환입니다.삼성의 HBM3E 자격 테스트 진행 상황삼성전자는 NVIDIA의 12단 HBM3E 자격 테스트를 진행 중이며, 2025년 6월까지 인증을 완료할 것으로 예상됩니다. 이 테스트는 DRAM 칩의 독립 성능을 평가하는 'Bare-die certification'과 칩이 최종 스택 형태에서 테스트되는 'Full-package certification'의 두 단계로 나뉘어 진행됩니다. 현재 삼성의 12단 HBM3E는 'Bare-die.. 2025. 5. 24. TSMC의 1.4nm 기술 발표: 반도체 산업의 새 지평 2025년 4월 27일, TSMC는 전 세계 반도체 업계에 또 하나의 충격을 안겨주었습니다. 바로 1.4nm 기술을 공식 발표한 것인데요. 이번 발표는 Nvidia, Apple, AMD 등 대형 고객사를 비롯해 글로벌 IT 시장 전체에 상당한 영향을 미칠 것으로 전망됩니다. 오늘은 TSMC의 1.4nm 기술 발표와 그 파급 효과를 차근차근 풀어보겠습니다.1.4nm 기술의 주요 이점TSMC가 발표한 1.4nm 기술은 단순한 미세화 경쟁을 넘어선 혁신적 변화를 예고하고 있습니다. 이번 1.4nm 기술은 다음과 같은 장점을 갖추고 있습니다.30% 에너지 소비 감소15% 성능 향상20% 논리 소자 밀도 증가이는 기존 2nm 및 3nm 공정 대비 상당한 진전을 의미합니다. 특히, 3nm 기술과 비교했을 때 30%.. 2025. 4. 29. 삼성전자 DRAM 개발 지연 – 반도체 주도권 경쟁의 경고등 삼성전자는 세계 최대의 메모리 반도체 제조사로, 글로벌 DRAM 시장에서 선두 자리를 오랫동안 유지해 왔습니다. 하지만 최근 차세대 DRAM 기술 개발의 지연 소식이 전해지며, 업계 전반에 긴장감이 감돌고 있습니다.원래 2025년 7월로 예정되어 있던 1c DRAM 샘플 테스트 일정이 미뤄지면서, 기술력의 상징이자 미래 수익을 좌우할 핵심 제품의 상용화 시점이 불확실해졌습니다.1c DRAM 개발 지연의 배경삼성전자가 개발 중인 1c DRAM은 기존 1a, 1b 공정보다 더 미세한 기술이 적용되는 제품입니다. 하지만 기술적 완성도 확보에 어려움을 겪으며, 샘플 테스트 일정이 2025년 하반기 이후로 연기되었습니다.이는 단순한 일정 조정이 아니라, 글로벌 반도체 경쟁 구도에서의 주도권 상실 가능성을 의미합니.. 2025. 4. 22. 삼성의 DRAM 및 NAND 가격 인상: 반도체 시장의 변화 삼성전자가 DRAM과 NAND 가격을 최대 5% 인상할 예정이라는 소식은 반도체 시장에 큰 영향을 미칠 것으로 예상됩니다. 가격 인상의 배경과 그로 인한 시장 변화에 대한 분석을 통해 삼성의 향후 전략과 반도체 산업의 흐름을 살펴보겠습니다. 이번 블로그에서는 가격 인상 배경, 계약 협상, 시장 동향, 가격 안정성 등 여러 요소를 다루어 보겠습니다.삼성의 DRAM 및 NAND 가격 인상 배경삼성전자가 DRAM과 NAND 가격을 3~5% 인상하기 위한 협상을 진행 중입니다. 이 가격 인상은 미국 대통령의 상호 관세 발표와 반도체 시장의 불안정성 등 여러 요인에 의해 촉발되었습니다. 미국은 현재 반도체를 관세 부과 목록에서 제외했지만, 글로벌 반도체 고객들은 미래의 잠재적 관세를 우려하며 재고 확보를 서두르고.. 2025. 4. 4. 이전 1 2 3 4 다음
