반응형 반도체시장28 [삼성 DRAM 비즈니스 전망] 가격 상승과 HBM 부진, 그 속의 반전 기회 성숙 공정 DRAM의 반격이 시작된다삼성전자의 DRAM 사업이 2025년 2분기를 기점으로 새로운 반등 기회를 맞이할 것으로 보입니다. 고대역폭 메모리(HBM)의 부진이 지속되고 있는 가운데, 오히려 DDR4 및 LPDDR4와 같은 성숙 공정 DRAM 가격이 상승하며 수익성을 견인하고 있습니다.이는 일시적 현상일 수 있으나, 단기적으로는 삼성의 실적을 실질적으로 개선시킬 수 있는 변수로 작용할 수 있습니다.1. DRAM 가격 상승, 삼성의 새로운 무기2025년 들어 DDR4 및 LPDDR4 가격이 예상외로 상승하고 있습니다. 이는 다음과 같은 요소에 기반합니다:데이터 센터 확장: 구형 서버에서도 여전히 DDR4 수요 존재중저가 스마트폰 확대: LPDDR4 기반 메모리 사용 지속공급 제약: 경쟁사들이 고사.. 2025. 6. 15. TSMC 출신 인재 영입한 삼성, 미국 반도체 시장 정조준! 삼성, 미국 반도체 전략에 본격 드라이브 걸다삼성전자가 미국 시장을 겨냥해 본격적인 인재 영입에 나섰습니다. 최근 삼성 미국 지사에서는 반도체 업계에서 21년간 경력을 쌓아온 마가렛 한(Margaret Han)을 수석 부사장으로 영입했습니다. 그녀는 현재 삼성 디바이스 솔루션 아메리카스(Samsung Device Solutions Americas)의 북미 파운드리 운영을 총괄하고 있습니다.이러한 인재 영입은 단순한 경력자의 충원이 아닌, 매우 전략적인 수로 해석되고 있습니다. 삼성은 세계 반도체 파운드리 시장에서 TSMC의 독점적 지위를 깨고 새로운 판을 짜기 위해 미국에서부터 전열을 가다듬고 있습니다.마가렛 한의 이력: TSMC부터 인텔, NXP까지마가렛 한 수석 부사장은 TSMC에서 북미 마케팅 팀을.. 2025. 6. 4. 삼성전자와 엔비디아의 HBM3E 협력: AI 메모리 시장을 향한 도전과 기회 최근 삼성전자와 엔비디아 간의 협력이 고속 메모리 시장에서 주목받고 있습니다. 특히, 삼성의 차세대 HBM3E(5세대 고대역폭 메모리) 칩이 엔비디아의 인증을 받기 위한 마지막 단계에 접어들면서, 양사의 파트너십이 새로운 국면을 맞이하고 있습니다.삼성의 HBM3E: 인증을 향한 마지막 관문삼성전자는 엔비디아와의 협력을 통해 8레이어 및 12레이어 HBM3E 메모리 칩을 공급하기 위한 준비를 진행 중입니다. 특히, 12레이어 제품은 엔비디아의 까다로운 품질 인증 절차 중 단일 칩 테스트를 통과했으며, 현재는 전체 패키지 인증을 기다리고 있습니다. 업계에서는 이 인증이 6월 중 완료될 것으로 예상하고 있습니다. 공급 계약과 시장의 기대엔비디아와의 공급 계약이 체결되면, 삼성은 올해 하반기부터 본격적인 공급을.. 2025. 5. 25. 삼성의 NVIDIA 자격 테스트 도전: HBM3E 시장에서의 생존 전략 삼성전자는 NVIDIA의 12단 HBM3E(High Bandwidth Memory 3E) 자격 테스트를 통과하기 위해 전력을 다하고 있습니다. 이러한 노력은 고성능 메모리 시장에서의 경쟁력을 확보하고, AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 분야에서의 입지를 강화하기 위한 전략의 일환입니다.삼성의 HBM3E 자격 테스트 진행 상황삼성전자는 NVIDIA의 12단 HBM3E 자격 테스트를 진행 중이며, 2025년 6월까지 인증을 완료할 것으로 예상됩니다. 이 테스트는 DRAM 칩의 독립 성능을 평가하는 'Bare-die certification'과 칩이 최종 스택 형태에서 테스트되는 'Full-package certification'의 두 단계로 나뉘어 진행됩니다. 현재 삼성의 12단 HBM3E는 'Bare-die.. 2025. 5. 24. TSMC의 1.4nm 기술 발표: 반도체 산업의 새 지평 2025년 4월 27일, TSMC는 전 세계 반도체 업계에 또 하나의 충격을 안겨주었습니다. 바로 1.4nm 기술을 공식 발표한 것인데요. 이번 발표는 Nvidia, Apple, AMD 등 대형 고객사를 비롯해 글로벌 IT 시장 전체에 상당한 영향을 미칠 것으로 전망됩니다. 오늘은 TSMC의 1.4nm 기술 발표와 그 파급 효과를 차근차근 풀어보겠습니다.1.4nm 기술의 주요 이점TSMC가 발표한 1.4nm 기술은 단순한 미세화 경쟁을 넘어선 혁신적 변화를 예고하고 있습니다. 이번 1.4nm 기술은 다음과 같은 장점을 갖추고 있습니다.30% 에너지 소비 감소15% 성능 향상20% 논리 소자 밀도 증가이는 기존 2nm 및 3nm 공정 대비 상당한 진전을 의미합니다. 특히, 3nm 기술과 비교했을 때 30%.. 2025. 4. 29. 삼성전자 DRAM 개발 지연 – 반도체 주도권 경쟁의 경고등 삼성전자는 세계 최대의 메모리 반도체 제조사로, 글로벌 DRAM 시장에서 선두 자리를 오랫동안 유지해 왔습니다. 하지만 최근 차세대 DRAM 기술 개발의 지연 소식이 전해지며, 업계 전반에 긴장감이 감돌고 있습니다.원래 2025년 7월로 예정되어 있던 1c DRAM 샘플 테스트 일정이 미뤄지면서, 기술력의 상징이자 미래 수익을 좌우할 핵심 제품의 상용화 시점이 불확실해졌습니다.1c DRAM 개발 지연의 배경삼성전자가 개발 중인 1c DRAM은 기존 1a, 1b 공정보다 더 미세한 기술이 적용되는 제품입니다. 하지만 기술적 완성도 확보에 어려움을 겪으며, 샘플 테스트 일정이 2025년 하반기 이후로 연기되었습니다.이는 단순한 일정 조정이 아니라, 글로벌 반도체 경쟁 구도에서의 주도권 상실 가능성을 의미합니.. 2025. 4. 22. 이전 1 2 3 4 5 다음 반응형
