dram기술2 삼성, 세계 최초 10나노 이하 DRAM 동작 칩 확인 — 반도체 물리 한계 넘었다 삼성, 세계 최초 10나노 이하 DRAM 동작 칩 확인 — 반도체 물리 한계 넘었다삼성전자가 세계 최초로 10나노미터 이하 DRAM 동작 칩(working die) 확인에 성공했다고 내외신에서 보도했습니다. 삼성전자는 지난 3월 10a 공정으로 웨이퍼를 생산한 후 다이 특성 검사 과정에서 정상 동작 칩을 확인했습니다. 이는 DRAM 역사상 처음으로 10나노 이하(9.5~9.7nm) 공정 기술이 실제로 작동한다는 것을 입증한 것으로, 반도체 물리적 미세화의 한계를 넘어선 역사적 이정표입니다.팩트 정확하게 읽기: 일부 외신 매체는 "양산 성공"이라고 보도했지만, 정확한 사실은 "세계 최초 동작 칩 확인" 단계입니다. 실제 양산은 2028년을 목표로 하고 있습니다. 이 글은 한국 전문매체 보도를 기반으로 작성.. 2026. 4. 27. 삼성의 기밀이 새어나갔다… 전 연구원, DRAM 기술 유출로 기소 사건 개요: 기술 유출과 검찰 기소2023년 5월 2일, 서울중앙지방검찰청 정보기술범죄수사부는 충격적인 발표를 했습니다. 삼성전자의 전직 연구원이 자사의 핵심 반도체 기술인 동적 랜덤 접근 메모리(DRAM) 기술을 중국 기술 기업 장신 저장소에 유출한 혐의로 기소되었다는 것입니다. 삼성전자가 해당 기술 개발에 약 1조 6천억 원을 투자했음을 감안하면, 이번 사건은 단순한 개인의 일탈을 넘어 국가 경쟁력에 치명적인 타격을 줄 수 있는 중대한 산업 스파이 사건입니다.핵심 기술이 유출된 배경검찰의 조사에 따르면, 해당 연구원은 삼성의 내부 정보를 무단으로 획득하여 외부에 전달한 것으로 확인됐습니다. 그는 DRAM 칩의 핵심 공정 기술을 입수하여, 장신과 함께 복제 기술 개발을 시도한 것으로 밝혀졌습니다. 더욱.. 2025. 5. 3. 이전 1 다음
