삼성이 HBM3E 메모리 경쟁에서 다시 한번 존재감을 드러내고 있습니다. Broadcom과 AMD 등 주요 기업들이 HBM3E 채택에 나서면서, 삼성의 공급망 복귀 가능성이 점차 현실화되고 있습니다. 하지만 한편으로는 NVIDIA 인증 실패라는 부담도 함께 안고 있는 상황입니다.
이번 글에서는 삼성의 HBM3E 8-Hi 프로토타입 테스트 통과, AMD와의 협력, HBM4 투자 계획, 그리고 DRAM 시장 점유율까지 한눈에 정리해 보겠습니다.
삼성, Broadcom용 HBM3E 8-Hi 테스트 통과
삼성전자는 Broadcom의 HBM3E 8-Hi 프로토타입에 대한 자격 테스트를 성공적으로 통과하였습니다. 복수의 테스트 장비 공급업체에 따르면, 삼성의 개선된 8-Hi 제품은 사전 평가 단계를 모두 완료하였으며, 이는 대량 공급 계약으로 이어질 가능성이 큽니다.
이번 성과는 Broadcom이 단일 공급처인 SK hynix에 과도하게 의존하고 있는 현재 상황에서 공급망을 다변화할 수 있는 매우 긍정적인 신호로 해석됩니다. 특히 가격 협상과 공급 안정성 확보라는 점에서 삼성의 재등장은 의미가 큽니다.
AMD와의 공식적 협력: MI350 가속기 공개
AMD는 2025년 6월 12일 ‘Advancing AI 2025’ 행사에서 차세대 MI350 시리즈 AI 가속기를 발표하면서, 해당 모델에 삼성과 마이크론의 288GB HBM3E가 장착되어 있다고 공식 확인했습니다. 이는 삼성의 HBM3E가 AMD에 공급되었다는 첫 번째 공식 입증 사례입니다.
KED에 따르면, 삼성 제품은 MI350의 12-Hi 구성으로 보이며, 이는 고대역폭·대용량 연산에 적합한 메모리 구조입니다.
이러한 협력은 향후 HBM 시장에서 삼성의 신뢰도와 기술력을 강화할 수 있는 중대한 분기점이 될 수 있습니다.
여전히 풀리지 않은 과제: NVIDIA 검증 실패
하지만 낙관할 수만은 없습니다. Business Post 보도에 따르면, 삼성은 6월에 NVIDIA의 12-Hi HBM3E 검증을 세 번째로 실패하였습니다.
이는 전력 효율성과 발열, 대역폭 안정성 문제 때문으로 분석되며, 삼성은 오는 9월 네 번째 검증 재도전을 준비 중입니다.
이러한 상황은 삼성이 NVIDIA와의 대형 계약을 놓칠 가능성을 시사하며, 2025년 4분기 대량 생산 일정에도 불확실성을 남기고 있습니다.
차세대 HBM4에 대한 삼성의 공격적 투자
HBM3E 이후의 전장은 HBM4입니다.
삼성은 SK hynix와의 기술 격차를 줄이기 위해 Hwaseong과 Pyeongtaek 공장에서 1c DRAM(6세대 10나노급) 기반 생산 라인을 확대할 예정이며, 2025년 연말부터 본격적인 생산 체제 전환에 나섭니다.
이러한 조치는 단순한 성능 향상을 넘어, 미래 AI 시대를 위한 메모리 기반 확보라는 전략적 목표를 가지고 있습니다.
DRAM 시장 점유율: 삼성의 하락세
시장 조사기관 TrendForce에 따르면, 2025년 1분기 기준 글로벌 DRAM 시장에서 SK hynix가 36.0% 점유율로 1위, 삼성은 33.7%로 2위에 머물렀습니다.
이는 삼성으로서는 매우 이례적인 상황이며, 고성능 메모리 시장에서의 리더십 상실 위험을 보여줍니다.
| 기업 | DRAM 시장 점유율 (2025년 1분기) |
| SK hynix | 36.0% |
| 삼성전자 | 33.7% |
| 마이크론 | 26.4% |
결론: 복귀냐, 추락이냐… 삼성의 시험대
삼성은 Broadcom과 AMD를 통해 일부 공급망 회복에 성공했지만, NVIDIA와의 협력 실패, 시장 점유율 하락, HBM4에 대한 불확실한 기술력이라는 삼중 과제를 안고 있습니다.
지금 이 시점에서 삼성에게 필요한 것은 단순한 양산이 아닌, 성능 안정성과 검증 통과라는 신뢰의 회복입니다.
HBM 시장은 AI 시대의 심장입니다. 삼성이 다시 중심에 설 수 있을지, 오는 4분기와 HBM4의 향방이 중요한 변곡점이 될 것입니다.
