반응형 DRAM10 [삼성 DRAM 생산 전략] HBM4 시장을 겨냥한 1c DRAM의 야심, 과연 통할까? DRAM 시장의 새로운 전환점, 삼성의 선택은 '속도'와 '밀도'삼성전자가 다시 한번 메모리 시장의 중심에 서려하고 있습니다. 이번엔 1c DRAM을 전면에 내세우며 HBM4 시대를 준비하고 있습니다. 최근 삼성은 1c DRAM 생산에서 중요한 기술적 이정표를 돌파했고, 이는 향후 고대역폭 메모리(HBM) 시장에서의 주도권 확보를 위한 결정적인 발판이 될 전망입니다.하지만 이 도전이 쉬운 일은 아닙니다. 이미 SK하이닉스는 HBM3E와 HBM4 초기 샘플에서 시장의 긍정적 평가를 받고 있으며, 마이크론은 미국 정부의 지원을 받아 생산 확대에 나서고 있습니다. 이 치열한 경쟁 구도 속에서 삼성은 생산 능력 확대와 기술 고도화라는 두 마리 토끼를 동시에 잡아야 하는 숙제를 안고 있습니다. HBM4를 위.. 2025. 7. 22. [Micron] Nvidia의 선택, 삼성의 경고? SOCAMM이 바꿀 AI 메모리 전쟁 AI 가속 시대, 새로운 메모리의 등판2025년, 인공지능(AI) 시대의 중심에서 Nvidia는 의미심장한 선택을 내렸습니다. 바로 차세대 메모리 기술인 SOCAMM의 첫 번째 공급업체로 Micron을 선정한 것입니다. 이는 단순한 계약이 아니라, 글로벌 메모리 산업의 경쟁 구도를 뒤흔들 수 있는 중대한 사건입니다. SOCAMM(Small Outline Compression Attached Memory Module)은 고성능·저전력 메모리 모듈로, AI 서버에 최적화된 새로운 메모리 포맷입니다. SOCAMM이란 무엇인가?SOCAMM은 이름처럼 기존 DIMM 메모리보다 훨씬 작고 얇은 구조를 가지면서도, AI에 최적화된 데이터 압축 및 처리 성능을 갖추고 있습니다. 기존 HBM(고대역폭 메모리)이 GPU와.. 2025. 6. 18. [삼성 DRAM 비즈니스 전망] 가격 상승과 HBM 부진, 그 속의 반전 기회 성숙 공정 DRAM의 반격이 시작된다삼성전자의 DRAM 사업이 2025년 2분기를 기점으로 새로운 반등 기회를 맞이할 것으로 보입니다. 고대역폭 메모리(HBM)의 부진이 지속되고 있는 가운데, 오히려 DDR4 및 LPDDR4와 같은 성숙 공정 DRAM 가격이 상승하며 수익성을 견인하고 있습니다.이는 일시적 현상일 수 있으나, 단기적으로는 삼성의 실적을 실질적으로 개선시킬 수 있는 변수로 작용할 수 있습니다.1. DRAM 가격 상승, 삼성의 새로운 무기2025년 들어 DDR4 및 LPDDR4 가격이 예상외로 상승하고 있습니다. 이는 다음과 같은 요소에 기반합니다:데이터 센터 확장: 구형 서버에서도 여전히 DDR4 수요 존재중저가 스마트폰 확대: LPDDR4 기반 메모리 사용 지속공급 제약: 경쟁사들이 고사.. 2025. 6. 15. 삼성의 NVIDIA 자격 테스트 도전: HBM3E 시장에서의 생존 전략 삼성전자는 NVIDIA의 12단 HBM3E(High Bandwidth Memory 3E) 자격 테스트를 통과하기 위해 전력을 다하고 있습니다. 이러한 노력은 고성능 메모리 시장에서의 경쟁력을 확보하고, AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 분야에서의 입지를 강화하기 위한 전략의 일환입니다.삼성의 HBM3E 자격 테스트 진행 상황삼성전자는 NVIDIA의 12단 HBM3E 자격 테스트를 진행 중이며, 2025년 6월까지 인증을 완료할 것으로 예상됩니다. 이 테스트는 DRAM 칩의 독립 성능을 평가하는 'Bare-die certification'과 칩이 최종 스택 형태에서 테스트되는 'Full-package certification'의 두 단계로 나뉘어 진행됩니다. 현재 삼성의 12단 HBM3E는 'Bare-die.. 2025. 5. 24. "삼성전자, 엔비디아를 위한 12단 HBM3E 대량 생산 개시설…AI 반도체 주도권 회복 노린다" 2024년부터 메모리 시장이 요동치고 있습니다. 그리고 그 중심엔 늘 그렇듯 삼성이 있습니다. 최근 삼성전자가 NVIDIA를 위한 HBM3E 메모리 칩의 12층 구조 대량 생산에 착수했다는 소식이 전해졌습니다.무엇이 그렇게 특별하냐고요? 그냥 HBM이 아닙니다. HBM3E, 그것도 12층 구조. 이건 마치 반도체계의 고층빌딩이라 해도 과언이 아닙니다.‘고층 빌딩’ HBM3E, 삼성은 왜 이걸 만드나?이 칩은 단순히 크기만 큰 게 아닙니다. 삼성의 DRAM 1a 기반, 즉 5세대 10 나노급 공정 기술이 적용돼 있습니다. 이는 단순한 성능 향상을 넘어, AI 연산에 최적화된 고대역폭 메모리로의 진화를 의미합니다.과거 NVIDIA의 테스트에서 삼성의 HBM3E 칩이 실패를 경험한 아픈 기억도 있죠. 이로 인.. 2025. 5. 3. 삼성의 HBM3E, 6월 품질 테스트 앞두고 ‘승부수’ 던지다 반도체 산업에서 가장 뜨거운 기술 중 하나, 바로 HBM3E입니다. 고대역폭 메모리(High Bandwidth Memory)의 최신 버전으로, 삼성전자는 이 HBM3E 제품의 6월 품질 테스트 통과를 목표로 전사적인 준비에 돌입했습니다. 이 테스트는 단순한 기술 검증을 넘어, 삼성의 반도체 미래가 걸린 결정적 관문이 될 전망입니다.그 중심에는 누구보다 치열하게 이 경쟁에 뛰어든 삼성전자가 있습니다. 글로벌 반도체 시장의 리더지만, 최근 HBM 경쟁에서는 SK하이닉스에 뒤처졌다는 평가를 받고 있습니다. 바로 이 판을 뒤집기 위한 카드가 HBM3E입니다.6월 품질 테스트, 왜 중요할까?삼성의 HBM3E는 단순히 신제품이 아닙니다. 이 제품은 NVIDIA의 까다로운 품질 테스트를 통과해야만 실제 공급이 가능합.. 2025. 5. 1. 이전 1 2 다음 반응형
