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삼성의 NVIDIA 자격 테스트 도전: HBM3E 시장에서의 생존 전략 삼성전자는 NVIDIA의 12단 HBM3E(High Bandwidth Memory 3E) 자격 테스트를 통과하기 위해 전력을 다하고 있습니다. 이러한 노력은 고성능 메모리 시장에서의 경쟁력을 확보하고, AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 분야에서의 입지를 강화하기 위한 전략의 일환입니다.삼성의 HBM3E 자격 테스트 진행 상황삼성전자는 NVIDIA의 12단 HBM3E 자격 테스트를 진행 중이며, 2025년 6월까지 인증을 완료할 것으로 예상됩니다. 이 테스트는 DRAM 칩의 독립 성능을 평가하는 'Bare-die certification'과 칩이 최종 스택 형태에서 테스트되는 'Full-package certification'의 두 단계로 나뉘어 진행됩니다. 현재 삼성의 12단 HBM3E는 'Bare-die.. 2025. 5. 24.
닌텐도 스위치 2, 삼성과 손잡다: 파운드리 승부의 전환점 2025년 6월 5일 출시 예정인 닌텐도 스위치 2는 단순한 차세대 콘솔이 아닙니다. 이번에는 칩 제조 파트너를 TSMC에서 삼성 파운드리로 전환하며, 글로벌 반도체 경쟁의 새로운 장을 열고 있습니다. 이는 삼성에게 기술력과 생산 역량을 입증할 수 있는 절호의 기회이며, 닌텐도에게는 안정적인 공급망 확보와 생산 속도 향상의 계기가 될 전망입니다.삼성의 8nm 공정, 닌텐도의 선택을 받다이번 스위치 2의 핵심 칩셋은 NVIDIA가 설계한 맞춤형 SoC로, 삼성의 8nm 공정에서 생산됩니다. 이는 이전 세대 스위치가 TSMC의 16nm 공정을 사용한 것과 비교할 때, 상당한 기술적 진보를 의미합니다. 특히 NVIDIA의 Ampere 아키텍처 기반 GPU는 DLSS와 실시간 레이 트레이싱을 지원하여, 콘솔의 .. 2025. 5. 21.
삼성전자, 2nm 공정으로 TSMC 추격 가속화 삼성전자가 2025년을 기점으로 반도체 산업의 판도를 뒤흔들기 위한 전략적 행보를 본격화하고 있습니다. 특히 2나노미터(nm) 공정 기술을 중심으로, 경쟁사인 TSMC와 인텔을 추격하며 글로벌 시장에서의 입지를 강화하려는 노력이 두드러집니다. 이번 블로그에서는 삼성의 2nm 기술 개발 현황, 주요 고객 확보, 미국 내 생산 계획 등 다양한 측면에서 삼성의 전략을 살펴보겠습니다.1. 2nm 공정 개발: 기술적 진보와 도전삼성전자는 2nm 공정 기술 개발을 위해 지난 2년 이상을 투자해 왔으며, 2025년 하반기부터 본격적인 양산을 목표로 하고 있습니다. 특히, 삼성의 SF2 공정은 기존 3nm 공정 대비 12%의 성능 향상, 25%의 전력 효율 개선, 5%의 면적 축소를 달성하여 경쟁력을 확보하고 있습니다.. 2025. 5. 20.
NVIDIA와 삼성 파운드리의 2nm 협력: 반도체 기술의 미래를 그리다 최근 반도체 업계에서 가장 뜨거운 이슈 중 하나는 바로 NVIDIA와 삼성 파운드리의 2nm 공정 협력 소식입니다. 이 두 글로벌 기업의 협력은 단순한 생산 계약 이상의 의미를 가지며, 반도체 산업 전반에 걸쳐 커다란 파급력을 지닐 것으로 보입니다. 특히, 삼성전자가 최근 2nm 공정에서 수율을 40~50%까지 향상하는 데 성공하면서, NVIDIA가 최신 GPU 생산에 있어 삼성 파운드리를 선택하게 된 배경이 명확해졌습니다.삼성전자는 오랜 시간 동안 TSMC와 경쟁하면서 기술적 열세를 극복하기 위해 막대한 투자를 해왔습니다. 2nm 공정은 GAA(Gate-All-Around) 트랜지스터 구조를 활용하는데, 이는 기존 FinFET 구조보다 전력 효율성과 집적도 면에서 큰 이점을 제공합니다. 하지만 초기 단.. 2025. 5. 16.
TSMC 2나노미터 칩, 고객사들이 먼저 알아본 이유 반도체 업계의 미래가 눈앞에 다가오고 있습니다. 세계 최대 파운드리 기업 TSMC가 본격적으로 2나노미터 칩 생산을 앞두고 있는 가운데, Apple, Nvidia, AMD, Qualcomm, MediaTek, Broadcom과 같은 주요 글로벌 기업들이 일찌감치 수요를 나타냈습니다. 아직 대량 생산이 시작되지 않았음에도, 이들 고객사들의 움직임은 무엇을 의미할까요?2나노미터 시대, 성능과 전력 효율을 동시에2나노미터 공정은 단순히 숫자가 줄어든 것을 의미하지 않습니다. 이는 곧 고성능과 에너지 효율성을 동시에 실현할 수 있는 기술적 도약을 상징합니다. 특히, GAAFET(Gate-All-Around Field-Effect Transistor) 구조의 도입은 기존 FinFET보다 훨씬 뛰어난 전류 제어 능.. 2025. 5. 6.
"삼성전자, 엔비디아를 위한 12단 HBM3E 대량 생산 개시설…AI 반도체 주도권 회복 노린다" 2024년부터 메모리 시장이 요동치고 있습니다. 그리고 그 중심엔 늘 그렇듯 삼성이 있습니다. 최근 삼성전자가 NVIDIA를 위한 HBM3E 메모리 칩의 12층 구조 대량 생산에 착수했다는 소식이 전해졌습니다.무엇이 그렇게 특별하냐고요? 그냥 HBM이 아닙니다. HBM3E, 그것도 12층 구조. 이건 마치 반도체계의 고층빌딩이라 해도 과언이 아닙니다.‘고층 빌딩’ HBM3E, 삼성은 왜 이걸 만드나?이 칩은 단순히 크기만 큰 게 아닙니다. 삼성의 DRAM 1a 기반, 즉 5세대 10 나노급 공정 기술이 적용돼 있습니다. 이는 단순한 성능 향상을 넘어, AI 연산에 최적화된 고대역폭 메모리로의 진화를 의미합니다.과거 NVIDIA의 테스트에서 삼성의 HBM3E 칩이 실패를 경험한 아픈 기억도 있죠. 이로 인.. 2025. 5. 3.

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